四英寸碳纳米结构及硅、锗纳米结构生长系统

发布时间:2016-05-17访问量:24设置

        简介:PECVD的沉积原理与一般的CVD之间没有太大的差异。PECVD是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。


仪器名称  

四英寸碳纳米结构及硅、锗纳米结构生长系统

型号

AIXTRON

厂家

英国爱思强

主要规格及技术指标

  

1、增强等离子化学沉积和热化学沉积四英寸处理腔.

   高加热温度900,升温速度300/秒,5组加热器通过高流量氮气冷却,30分钟内从800度降到常温。

  

2气体流量控制器,管路真空度达到lE-9 L/s

  

3、等离子发生器 最大电压800 V,电流 2.5 A,功率l KW

  

主要功能及应用范围

  

该系统支持热化学沉积和增强等离子化学沉淀。该设备能够支持生产各种形态的碳纳米材料、碳纤维和石墨烯。

  

主要附件

  

尾气处理,侦测器,气体管路

                                                             

责任编辑:何小蝶

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