少子寿命测量仪

发布时间:2016-05-17访问量:19设置

      少子寿命测量仪是应用于光伏和微电子领域、扫描测量硅片的多功能仪器,是非接触、无损的半导体电子特性测量系统。可测量几乎所有种类的半导体,包括在高掺杂基底上小于2 μm厚度的薄外延层,包括部分或完全工艺处理的硅片。可测量微电子级硅晶圆和光伏应用的多晶与单晶硅片。MDPmap提供少子寿命(稳态MDP和短脉冲μ-PCD)和扩散长度(光电导率)的扫描测量功能,具有很高的空间分辨率和很小的测量光斑尺寸。也可检测到硅片在晶体生长过程中导致的损伤、例如氧致堆错和氧痕、滑线,以及工艺过程中导致的损伤和重金属污染等。ŸMDPmap通过微波谐振电路测量少子寿命和光电导率。可测量稳态或非平衡态的少子寿命。Ÿ宽范围的激光激发功率(注入水平)保证了高灵敏度,可探测到以前未曾探测到的损伤。


仪器名称

少子寿命测量仪

厂家

德国MDPmap

主要规格及

技术指标

寿命测量范围:0.1 μs - 100 ms

包括可调节偏置光

测量光斑直径0.5 mm缺省值,选项:软件控制可调光斑尺寸

重复精度:+/- 1%

寿命准确度:3 Sigma < 3%

双激发激光源,波长约980 nm激发功率可控、超过4个数量级放大倍数

主要功能及

应用范围

可测量损伤:

重金属污染如铁、铬等

氧沉淀、氧层错、滑移线等
测量时间:取决于样品

主要附件


联系人:吴海华

联系电话 :65881259

E-mailwuhh@suda.edu.cn


责任编辑:吴海华

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