少子寿命测量仪

      少子寿命测量仪是应用于光伏和微电子领域、扫描测量硅片的多功能仪器，是非接触、无损的半导体电子特性测量系统。可测量几乎所有种类的半导体，包括在高掺杂基底上小于2 μm厚度的薄外延层，包括部分或完全工艺处理的硅片。可测量微电子级硅晶圆和光伏应用的多晶与单晶硅片。MDPmap提供少子寿命（稳态MDP和短脉冲μ-PCD）和扩散长度（光电导率）的扫描测量功能，具有很高的空间分辨率和很小的测量光斑尺寸。也可检测到硅片在晶体生长过程中导致的损伤、例如氧致堆错和氧痕、滑线，以及工艺过程中导致的损伤和重金属污染等。ŸMDPmap通过微波谐振电路测量少子寿命和光电导率。可测量稳态或非平衡态的少子寿命。Ÿ宽范围的激光激发功率（注入水平）保证了高灵敏度，可探测到以前未曾探测到的损伤。