报告人：裴轶博士（苏州能讯高能半导体有限公司）
报告题目：推动GaN射频器件发展技术前沿
报告时间：2025年11月10日（星期一）14:00
报告地点：独墅湖校区606幢6116
报告摘要：
氮化镓凭借着优异的材料特性，在器件特性上如发射功率、效率、带宽、工作温度等具有明显优势，可以有效降低器件尺寸和提升能源效率，正逐渐取代砷化镓pHEMT和硅的LDMOS在基站、射频能源等市场，逐渐成为射频半导体功放的首选。报告将从氮化镓材料、工艺、器件、模型、应用等角度介绍相关技术和研讨。本报告也将介绍苏州能讯高能半导体有限公司自主研发构筑的完整的氮化镓功率芯片技术体系，包括：外延生长、工艺开发、晶圆制造、封装测试及可靠性等方面，具有不同精度工艺制程能力，在效率、线性度、可靠性等方面达到国际先进水平，实现了全球最高的功率密度。能讯将持续推动GaN技术向更高频段、更高功率密度发展，并通过产学研合作深化器件机理研究、非线性建模与集成创新，致力于成为中国第三代半导体产业的核心推动者。
个人简介：
裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁，正高级工程师。2004年北京大学本科毕业，2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才，江苏五四青年奖章，IEEE高级会员，中国电子学会高级会员，中国电子学会青年科学家俱乐部会员，中国电源学会元器件专业委员会委员，国家第三代半导体技术创新中心第一届技术专家委员会委员，第三代半导体联盟标准委员会委员，苏州大学产业教授，北京大学校外导师。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目，发表和共同发表了100余篇期刊和会议论文，累计申请专利150余项。
联系人：文震 教授