澳门大学 赖屾 7月16日下午14:00学术报告

报告人：赖屾（澳门大学）

报告题目： GaPS₄: 用于二维半导体的高k介电层材料

报告时间：2025年7月16日（周三）下午2:00

报告地点：909 B厅

报告摘要：

开发范德华高介电常数介电层是实现高性能二维半导体场效应晶体管 (FET) 的关键因素。在此报告中，我们将通过实验结果展示，层状 GaPS₄薄片表现出高达 35 的高介电常数和高电容密度（～2.95 μF/cm²），以及大于 4.15 eV 的带隙。MoS₂/GaPS₄异质结构的能带排列表明 MoS₂和 GaPS₄之间存在对于电子的 ～1.92 eV 类单极势垒。我们在 MoS₂ FET 中采用等效氧化层厚度为 1 nm 的 GaPS₄作为栅极电介质，该器件显示出 10^-13 A 的低栅极漏电流、3×10⁸的高开关比和极小的曲线滞后（～20 mV）。理论建模证实，弱相互作用保留了 MoS₂沟道本征的电子特性。与其他层状电介质相比，MoS₂ FET 中的 GaPS₄在带隙、介电常数、等效氧化层厚度和开关比方面表现出优异的性能。这些优势凸显了 GaPS₄在二维半导体 FET 中的应用潜力。

个人简介 ：

赖屾，现为澳门大学应用物理及材料工程研究院助理教授，研究方向为二维材料电学输运及器件。2018 年在韩国成均馆大学 Sungjoo Lee 教授课题组获得博士学位，2018-2021 年在新加坡南洋理工大学 Weibo Gao 教授课题组进行博士后研究，期间与新加坡科技设计大学杨声远课题组及诺贝尔物理学奖得主 Konstantin Novoselov 合作发现了三阶非线性霍尔效应。以第一/通讯作者在 Nat. Nanotechnol.、Nano Lett. 等国际顶级期刊发表学术论文，其中单篇最高 Web of Science 引用 300 余次，获评 ESI 高被引论文。获授权国际国内发明专利 3 项，并多次受邀在国际重要学术会议做口头报告。研究成果获中国科学院院士、欧洲科学院院士等专家在 Nature、Science 等期刊多次引用与高度评价。Nature Communications 等学术期刊审稿人。

联系人：都薇 教授