报告人：裴轶博士（苏州能讯高能半导体有限公司）
报告题目：氮化镓射频电子器件及其应用
报告时间：2026年4月13日（星期一）14:00
报告地点：独墅湖校区606幢6210
报告摘要：
氮化镓作为第三代半导体材料的典型代表，相比第一代和第二代半导体，具有更高的禁带宽度和击穿电压，在器件特性上如发射功率、效率、带宽、工作温度等具有明显优势，可以有效降低器件尺寸和提升能源效率，正逐渐取代砷化镓pHEMT和硅的LDMOS在基站、卫星通讯、射频能源等市场，逐渐成为射频半导体功放的首选。报告将从氮化镓材料、工艺、器件、模型、应用等角度介绍相关技术和研讨。
个人简介：
裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁，正高级工程师。2004年北京大学本科毕业，2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才，获江苏五四青年奖章（2022）、电子学会科技进步二等奖（2024、2025）、教育部工程技术二等奖（2025）。国家第三代半导体技术创新中心技术专家委员会委员，全国集成电路标准化技术委员会宽禁带半导体工作组专家，第三代半导体联盟标准委员会委员，SEMI China GaN工作组组长。IEEE高级会员，中国电子学会高级会员，中国电源学会元器件专业委员会委员。江苏省产业教授（苏州大学），北京大学/中国科学技术大学/西交利物浦大学研究生校外导师。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目，发表了120余篇论文，申请专利150余项。
联系人：文震 教授