报告人：裴轶博士（苏州能讯高能半导体有限公司）
报告题目：氮化镓射频电子前沿技术进展
报告时间：2026年4月20日（星期一）14:00
报告地点：独墅湖校区606幢6210
报告摘要：
随着移动通讯的发展，未来6G网络的愿景是实现“空-天-地-海”一体化。氮化镓射频芯片在发射功率、效率、带宽、工作温度、抗辐照能力等方面具有明显优势，可以有效降低器件尺寸和提升能源效率。报告将介绍氮化镓射频电子的前沿技术进展，从氮化镓材料、工艺、器件、模型、应用等角度研讨。能讯公司自主研发构筑了完整的氮化镓射频芯片技术体系，低压氮化镓技术快速发展，已进入移动终端。高压氮化镓技术在10 GHz实现了全球最高的功率密度41 W/mm。高频应用在毫米波以及THz领域实现突破。芯片架构向多功能集成和chiplet进一步发展。
个人简介：
裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司技术副总裁，正高级工程师。2004年北京大学本科毕业，2009年获加州大学圣巴巴拉分校博士学位。国家重大人才工程-科技创新领军人才，获江苏五四青年奖章（2022）、电子学会科技进步二等奖（2024、2025）、教育部工程技术二等奖（2025）。国家第三代半导体技术创新中心技术专家委员会委员，全国集成电路标准化技术委员会宽禁带半导体工作组专家，第三代半导体联盟标准委员会委员，SEMI China GaN工作组组长。IEEE高级会员，中国电子学会高级会员，中国电源学会元器件专业委员会委员。江苏省产业教授（苏州大学），北京大学/中国科学技术大学/西交利物浦大学研究生校外导师。研究兴趣包含氮化镓微波和毫米波器件、氮化镓功率器件及应用、氮化镓材料、工艺、可靠性和非线性模型等。承担和参与多项科技部、工信部、发改委重要核心技术攻关项目，发表了120余篇论文，申请专利150余项。
联系人：文震 教授